纳米电子器件核心组件

1. 场效应晶体管（FET）

优势：碳纳米管的直径仅为纳米级，电子迁移率可达 10⁴–10⁵ cm²/(V・s)，远超硅材料（约 1500 cm²/(V・s)），且具有极低的功耗和良好的柔韧性，适合制备高频、高速电子元件。

应用场景：

用于制造下一代超微型芯片，推动摩尔定律延续，例如 IBM 已研发出基于碳纳米管的 1nm 节点晶体管，性能优于传统硅基器件。

柔性电子器件（如可折叠手机、电子皮肤）中的核心开关元件，可在弯曲状态下保持稳定导电性能。

2. 纳米导线与互联线

特性：电导率高达 10⁸ S/m，为铜的 100 倍以上，且直径可缩小至 1nm 以下，解决传统金属导线在纳米尺度下的电阻增大、发热等问题。

应用场景：

芯片内部纳米级电路互联，降低 RC 延迟（电阻 - 电容效应），提升芯片运算速度。

柔性电路中的透明导电线路，例如用于柔性显示屏的电极连接线。