| 指标项 | 要求(99.99% 级) |
|---|---|
| 主含量(以 Co 计) | 31.0%~32.5% |
| 杂质含量(ppm) | Na⁺、K⁺ ≤ 5;Ca²⁺、Mg²⁺ ≤ 3;Cl⁻ ≤ 10;SO₄²⁻ ≤ 15 |
| 重金属杂质(ppm) | Pb、Hg、Cd ≤ 1;Ni ≤ 20;Cu ≤ 5 |
| 晶体形貌 | 球形或类球形,粒径分布 D50=1~5 μm |
| 水分及结晶水 | 游离水 ≤ 0.5%;结晶水含量稳定 |
原料提纯预处理
高纯硫酸钴溶液制备:以工业级硫酸钴为原料,通过萃取 - 反萃工艺去除杂质。采用 P204(磷酸二异辛酯)或 P507(2 - 乙基己基磷酸单 2 - 乙基己基酯)萃取剂,分离 Co²⁺ 与 Ni²⁺、Cu²⁺、Fe³⁺ 等杂质离子;反萃后得到纯度 ≥ 99.99% 的硫酸钴溶液,浓度控制在 0.5~1.0 mol/L。
高纯草酸溶液配制:将电子级草酸固体溶解于去离子水中,配制浓度为 0.6~1.2 mol/L 的草酸溶液,用 0.22 μm 滤膜过滤去除不溶性杂质。
液相沉淀反应
将硫酸钴溶液与草酸溶液按 1:1.05~1:1.1 的摩尔比,同步滴加到带搅拌的反应釜中,反应温度控制在 40~60℃,搅拌速率为 300~500 r/min。
反应过程中用高纯氨水调节 pH 值至 2.0~3.0,避免 pH 过高导致氢氧化钴杂质生成;同时采用在线粒度仪监测晶体生长过程,确保粒径分布均匀。
滴加完成后,继续搅拌 1~2 h 进行陈化,促进晶体生长完整,减少晶内杂质包裹。
固液分离与深度洗涤
采用真空抽滤或离心分离进行固液分离,去除滤液中的硫酸根离子。
用超纯水(电阻率 ≥ 18.2 MΩ・cm)对滤饼进行多次洗涤,洗涤终点以检测洗涤液中 SO₄²⁻ 含量 ≤ 10 ppm 为准;避免使用自来水或普通纯水,防止引入 Ca²⁺、Mg²⁺ 杂质。
干燥与后处理
将洗涤后的草酸钴滤饼置于真空干燥箱中,在 80~100℃ 下干燥 8~12 h,控制干燥速率避免晶体团聚;严禁采用热风干燥,防止空气中的尘埃杂质污染。
干燥后产物经研磨、过筛(200~300 目),得到电子级草酸钴粉体;最后进行真空包装,防止吸潮与二次污染。
钴源需采用电子级氯化钴,避免 Cl⁻ 含量过高导致产品杂质超标;
反应温度需控制在 30~50℃,陈化时间延长至 2~4 h,促进晶体缓慢生长,形成球形度高的颗粒;
洗涤过程可采用乙醇 - 水混合溶液,降低草酸钴在水中的溶解度,减少产品损失。
废旧电池正极材料预处理:拆解废旧电池,分离正极极片,经焙烧去除粘结剂(PVDF)与导电剂(炭黑)。
酸浸提钴:用硫酸 + 双氧水混合溶液浸出正极材料,得到含 Co、Ni、Mn 的混合浸出液。
萃取分离提纯:采用 P507 萃取剂分离 Co²⁺ 与其他金属离子,反萃后得到高纯钴盐溶液。
沉淀与后处理:采用硫酸钴 - 草酸沉淀法或氯化钴 - 草酸铵沉淀法,制备电子级草酸钴。
原料纯度控制:钴源(硫酸钴 / 氯化钴)纯度需 ≥ 99.99%,沉淀剂(草酸 / 草酸铵)需选用电子级,水需采用超纯水,避免原料引入杂质。
反应过程调控:采用并流滴加方式,避免局部过饱和导致杂质包裹;控制反应 pH 值与温度,减少副反应发生;选用聚四氟乙烯或玻璃材质反应釜,防止设备腐蚀引入 Fe、Cr 等金属杂质。
深度洗涤技术:采用多级逆流洗涤工艺,用超纯水反复洗涤滤饼,重点去除 SO₄²⁻、Cl⁻ 等阴离子杂质;洗涤过程中可加入少量草酸溶液,抑制草酸钴溶解。
洁净生产环境:制备车间需达到 10 万级洁净度,操作人员穿戴洁净服,产物输送与包装采用密闭设备,防止空气中的尘埃、金属颗粒污染。
| 工艺类型 | 优点 | 缺点 | 适用场景 |
|---|---|---|---|
| 硫酸钴 - 草酸沉淀法 | 工艺成熟、成本低、规模化生产易实现 | 硫酸根洗涤难度大,易残留 | 锂离子电池三元正极材料用草酸钴 |
| 氯化钴 - 草酸铵沉淀法 | 产品纯度高、形貌均匀、杂质易去除 | 原料成本高,不适用于大规模生产 | 高端硬质合金、精密催化剂用草酸钴 |
| 废旧钴资源再生法 | 原料成本低、绿色环保、资源利用率高 | 原料成分复杂,提纯工艺难度大 | 中高端电子级草酸钴,循环经济项目 |
